微系统封装术语汇总（－）
Accelerated stress test 加速应力测试
高于正常工作条件所进行的测试，如超常物理或化学应力条件下所进行的测试。它可以在短时间内产生等效下实际工作条件的效果，获得可测试量，如疲劳失效。
Accelerator 促进剂
为缩短凝胶固化时间，在环氧树脂中加入的一种有机化合物。
Active trimming 有源修饰
电路处于工作状态时，对直接制作在混合组件或多芯片组件的原件（如电阻）进行修调的工艺，通常用激光进行修饰。
Additive plating 加成电镀
通过掩模技术将导电的，电阻性的和绝缘性的材料依次镀在衬底上，从而加工混合电路的基板，最后定义图形、焊区的单元面积。
Additive process 加成工艺
把导电材料添加到基板特定区域的一种工艺。基于掩模技术，反复使用这种工艺，就可以制作紧密厚度的一组引线。
Advanced statistical analysis program(ASAP) 高级统计分析程序
ASAP是IBM公司的电路分析模拟程序；能完成直流，时域和频域分析。在所有模拟中，均可使用统计分析来预测工作容限。其主要特点是他的传输线分析程序，可参见SPICE.
Alloy
由两种及两种以上固态溶剂或化合物合成的金属材料。两种以上金属材料相结合，会形成一种新相或具有每种金属部分特征的相。
Alpha particle α粒子
一些放射性同位素的衰变产物。它是高能氦核子（MV范围），能在微电子器件和开关单元中产生电子空穴，从而引起一些器件软实效。
Analog circuit 模拟电路
用于产生或处理模拟信号的元器件集合。
Analog-to-digital(A/D) 模拟到数字
把模拟信号转换为等量模拟数字值的过程。
Anisotropic adhesive 各向异性导电胶
含有导电小颗粒的特种胶。这种胶尤其在倒装焊中使用，它可把裸芯片安装在混合电路中，多芯片组件和电路板的基板上。在倒装焊技术中，芯片上的涂点被压到基板上的对应的焊区，只有在焊区连接处才引入导电颗粒，因此在焊区之间会形成良好的点接触。
Application specific integrated circuit(ASIC) 专用集成电路
在焊接流程中，用于加工芯片上带有边缘焊盘和附加焊盘的一种自动焊。它在及其复杂的芯片及VLSI中使用，也在外部焊盘节距不能再小的IC中使用，或在必须容纳所有I/O的IC中使用。
Array 裂症
在一块衬底上，成行成列排列的一组单元（焊盘，管脚）或电路。
Aspect ratio 深宽比
电路板中孔的深度与其直径之比。
Assembly 组装
混合电路，其中包括了已经连接到下一级封装的分立元件或集成元件。通常是指插件。
Assembly/rework 组装/返修
微电子元器件粘结与拆除过程的术语。组装是指把器件及互联线安装到外壳上，而返修则是把器件及互联线拆除以给新器件留下位置从新粘结。对维修或工程变化，返修是必须的。
Backbonding 背面焊接
使芯片的背面与基板焊接，而正面留下，即面朝上焊接。背面焊接的相反工艺是面朝下焊接。
Back-end-of-the-line(BEOL) 后道工序
是指圆芯片上元件（晶体管，电阻等）互联的集成电路制造工艺部分，包括接触区、绝缘层、金属层和芯片到外壳链接的焊区制造工艺、把圆芯片化成单块集成电路的工艺同样也是BEOL工艺。前道工序（FEOL）是指半导体中单个元器件（晶体管、电阻等）制造的共一部分。
Backplane 背板
用来互联多个电路板的一种介质，常指特殊的重负荷印刷电路板。
Backside metallurgy(BSM) 背面合金化
与多层陶瓷封装内部导体连接的金属焊区，而焊区与管脚相焊接。
Ball grid array(BGA) 球栅阵列
连接到SCN或MCM的焊球阵列，用于把这一级封装连接到下一级封装（通常是印制线路板）。
Ball limiting metallurgy(BLM) 球限金属化层
焊锡易润湿的引脚金属化层。他定义了焊锡区的尺寸和面积（例如C4和芯片）。BLM把焊球限制到所希望的区域，并与芯片引线粘结和接触。
Bandwidth 带宽
通过传输线能够可靠传播的最大脉冲速率或频率。对数据总线而言，带宽常用来描述数据速率，即单线脉冲速率乘以平行总位的数量。
Bare die 裸芯片
未封装的集成电路。
BiCMOS 双极互补金属－氧化物－半导体
集成电路的一种技术，低功率CMOS实现逻辑门功能，而高驱动双极晶体管实现输出级功能的一种技术。
BIFET 双极场效应晶体管
把双极晶体管和场效应晶体管集成在同一芯片上，从而达到高性能并降低成本。
Binder 粘合剂
添加到厚膜复合层和未焙烧衬底材料的一种（有机）材料，以提供临时预烧处理的足够强度。
BiNMOS 双极NMOS
一种较新的低压集成电路技术。通过双极晶体管和NMOS晶体管混合而实现的高速低静态功耗的输出级。
Bipolar junction transistor(BJT) 双极结构晶体管
某一系列的晶体管
Bipolar transistor 双极晶体管
含有两个P-N结。一个在基区和发射区之间而另一个在基区和收集区之间。发射区注入到基区的少数载流子穿过基区再被收集区收集。双极晶体管功耗比场效应晶体管大。但有较高性能。
Block copolymer 嵌段共聚物
由化学结构不同的链段交替聚合而成的线型共聚物。交替结合的链段有有规交替和无规交替两种。
built-in srlf-test(BIST) 内建自测试
把附加逻辑嵌入元器件内部，因而可进行自身测试的一种测试方式。
Blind via 盲孔
仅能从基板一面看到的过孔。
Board 线路板
能安装较小插卡或组件的有机印刷电路卡或电路板。通过引线或电缆与下一级连接。
Boiling 沸腾
过热蒸汽液体中发生相变并形成气泡。
Bondability 可键合性
键合区表面的特性和条件要能满足互联材料的键合（例如超声键合或热压引线键合）。
Brazing 钎焊接
通过熔化有色金属（如共熔金锡合金）而实现的金属焊接，其有色金属熔点比焊接的金属低。又称锡焊。
BTAB 凸点载带自动焊
与载带自动焊类同。与芯片上的凸点对应，把凸点制备在带形材料的焊区。
Bumped tape 凸点载带
用于TAB工艺的载带。在这种载带中，把内引脚焊区做到载带的凸点上而不是芯片的凸点上。这保证了内引脚焊区与被焊接芯片的非焊区隔离。
Buried via 埋孔
导电层在内部与基板相连的一种过孔。而从基板两侧均看不见过孔。
Burn-in 老化
电应力作用下的器件（通常是升高温度或电压），在一定时间内引起器件实效的工艺。
Burn-off 烧掉
把不需要的有机物除去，通常是把生瓷片上的有机物除去，或把基板上的有机物除去。
